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津云新闻讯：日前，滨海新区青禾晶元天津新型键合集成衬底量产示范线通线活动圆满举办，该条产线的通线将对推动我国半导体产业高质量发展、填补国内市场空白、加强国内自主创新具有重要意义。

当前，在全球经济衰退及贸易形势变化等宏观背景下，一些发达国家对我国半导体产业不断施压，给国内半导体发展带来重重阻力。亟需通过自主创新突破海外技术封锁，尤其半导体设备及材料等涉及较多“卡脖子”技术难题。

对此，青禾晶元自主研发推出先进的半导体材料键合集成技术。该技术已成功实现产业化，进入量产示范阶段，使我国半导体产业实现了从“技术引进”到“自主研产”，再到“规模量产”的阶段突破，助力中国半导体技术向上发展。

滨海新区副区长张桂华表示：“青禾晶元天津复合衬底产线是国内首条新型复合衬底量产线，技术水平全球领先，填补了国内在该领域的空白。近年来，新区大力实施制造强区战略，着力打造先进制造研发基地核心区，研究制定一系列支持政策，全力支持信创产业发展，为企业在新区发展创造了最优的环境。”

中国科学院院士、微电子学与固体电子学家郝跃院士指出：“青禾晶元自主研发的半导体材料键合集成技术，使我国在半导体复合衬底材料领域实现了阶段性突破。该技术在生产环节的落地应用，将大大增加宽禁带半导体领域的优质产品产能，带动中国整个半导体产业及周边产业发展。”

“先进半导体复合衬底技术是当前最先进的晶圆级异质集成技术之一，可以有效解决当前单一半导体材料性能受限、成本高、良率低等问题。本次新型键合集成衬底量产示范线通线，标志着国内先进半导体键合集成衬底产品具备了大规模量产的基础，进一步巩固了青禾晶元在该领域的引领地位，对我国先进键合集成衬底产业在全球范围内占领战略制高点极其重要。后续企业将基于领先的技术优势和成熟的量产能力，进一步扩大产能、降低成本，以应对下游客户日益增长的产品需求。”　青禾晶元董事长母凤文博士表示。　

在通线活动完成后，一场以“半导体材料与器件融合技术”为主题的论坛于当天同步启动，会上与会专家各抒己见，共同探讨剖析了半导体材料与器件融合技术的发展现状和重要性，从多个维度研讨了中国半导体行业市场变化和未来方向。（津云新闻记者 陈汝宁）